femto second 레이저를 사용하여 반도체용 Wafer 표면분석을 기존 HF(불산)을 사용하지 않고 ICP-MS로 직접분석 및 전자동화가 가능한 정량분석장비이다. 특히 특별한 Chamber를 사용하지 않고 시료(wafer)를 공기 중에서도 직접분석할 수 있으며, 기존 HF(불산)를 이용한 분석보다 처리속도가 빠르다. 최근 차세대 반도체인 전력반도체 (GaN, SiC 등)의 wafer 분석은 HF(불산)을 이용한 VDP분석이 불가능하여, 이런 Wafer화학분석에 있어서 필수분석장비가 되고 있다. 또한 시료를 놓는 Stage의 개조를 통해 Chamber 안에 넣을 수 없는 고고학적 자료, 인공구조물, 자연물질 등 분할 할 수 없는 시료도 정성, 정량분석이 가능하다.
'fs-LA-GED-MSAG-ICPMS'의 제품 특징, 제품 사양은 다음과 같다.
제품 특징
고성능 Femto second Laser를 사용하여 정밀하고 신속한 정성정량분석이 가능하며, 특별한 Chamber 없이 공기중에서도 제품의 화학적 정성정량 분석을 할 수 있다. 더불어 Water 분석의 경우 FOUP를 이용한 전자동 System 분석이 가능하다.
제품 사양
1. 크기: 150cm(W) × 220cm(L) × 180cm(H) - 옵션에 따라 변경가능
2. 레이저: 257nm Femto Second Laser
3. ICP-MS 기본장착
4. 제조사: IAS(일본)
'fs-LA-GED-MSAG-ICPMS'에 대한 상세한 내용은 Reference(참고자료)를 통하여 확인할 수 있다.
Reference(참고자료)
IAS 제품 카다로그
Maker(제조사): IAS
Country of Origin(원산지): Japan
Data Services(자료제공): 비포스
<이 기사는 사이언스21 매거진 2024년 7월호에 게재 되었습니다.>
femto second 레이저를 사용하여 반도체용 Wafer 표면분석을 기존 HF(불산)을 사용하지 않고 ICP-MS로 직접분석 및 전자동화가 가능한 정량분석장비이다. 특히 특별한 Chamber를 사용하지 않고 시료(wafer)를 공기 중에서도 직접분석할 수 있으며, 기존 HF(불산)를 이용한 분석보다 처리속도가 빠르다. 최근 차세대 반도체인 전력반도체 (GaN, SiC 등)의 wafer 분석은 HF(불산)을 이용한 VDP분석이 불가능하여, 이런 Wafer화학분석에 있어서 필수분석장비가 되고 있다. 또한 시료를 놓는 Stage의 개조를 통해 Chamber 안에 넣을 수 없는 고고학적 자료, 인공구조물, 자연물질 등 분할 할 수 없는 시료도 정성, 정량분석이 가능하다.'fs-LA-GED-MSAG-ICPMS'의 제품 특징, 제품 사양은 다음과 같다.제품 특징고성능 Femto second Laser를 사용하여 정밀하고 신속한 정성정량분석이 가능하며, 특별한 Chamber 없이 공기중에서도 제품의 화학적 정성정량 분석을 할 수 있다. 더불어 Water 분석의 경우 FOUP를 이용한 전자동 System 분석이 가능하다.제품 사양1. 크기: 150cm(W) × 220cm(L) × 180cm(H) - 옵션에 따라 변경가능2. 레이저: 257nm Femto Second Laser3. ICP-MS 기본장착4. 제조사: IAS(일본)'fs-LA-GED-MSAG-ICPMS'에 대한 상세한 내용은 Reference(참고자료)를 통하여 확인할 수 있다.Reference(참고자료)IAS 제품 카다로그Maker(제조사): IASCountry of Origin(원산지): JapanData Services(자료제공): 비포스<이 기사는 사이언스21 매거진 2024년 7월호에 게재 되었습니다.>글쓴날 : [24-07-04 09:44]